西安三星12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動！

12月25日，西安三星12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動。

三星電子一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目；二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片。

其中，二期項目第一階段投資約70億美元，明年3月竣工投產；第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工。二期項目建成后將新增產能每月13萬片，新增產值300億元，解決上千人就業，并帶動一批配套電子信息企業落戶。

2017年8月30日，三星電子株式會社與陜西省政府簽署了投資合作協議，決定在西安高新綜合保稅區內建設三星（中國）半導體有限公司存儲芯片二期項目。

今年12月10日，三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資正式啟動。

2018年3月28日，三星電子高端存儲芯片二期項目正式啟動，目前，項目前期基礎設施建設和廠房建設已經完成，即將進入內部裝修和機電設備安裝階段。

三星（中國）半導體有限公司董事長任伯均表示，二期項目建成后，三星（中國）半導體公司將成為世界領先的閃存芯片生產基地。

據此前西安日報報道，目前“西安造”的高端存儲芯片占到整個三星同類產品的37%，占到全世界同類產品的13%。

來源：愛集微